Julius Edgar Lilienfeld

Plantilla:Infotaula personaJulius Edgar Lilienfeld
Imatge
Modifica el valor a Wikidata
Biografia
Naixement18 abril 1882 Modifica el valor a Wikidata
Lviv (Ucraïna) Modifica el valor a Wikidata
Mort28 agost 1963 Modifica el valor a Wikidata (81 anys)
Charlotte Amalie (Illes Verges dels Estats Units) Modifica el valor a Wikidata
FormacióUniversitat Humboldt de Berlín Modifica el valor a Wikidata
Director de tesiEmil Warburg Modifica el valor a Wikidata
Activitat
Camp de treballFísica, transistor d'efecte camp, electròlit, condensador, corrent elèctric, rectificador, amplificador electrònic, radiació òptica, electró i buit Modifica el valor a Wikidata
Lloc de treball Leipzig Modifica el valor a Wikidata
Ocupaciófísic, professor universitari, inventor, enginyer elèctric Modifica el valor a Wikidata
OcupadorUniversitat de Leipzig Modifica el valor a Wikidata
Signatura Modifica el valor a Wikidata

Julius Edgar Lilienfeld (Lviv, 18 d'abril de 1882 - Charlotte Amalie, 28 d'agost de 1963) va ser un enginyer elèctric i físic austrohongarès i més tard estatunidenc[1] (on es va traslladar el 1921) a qui se li atribueix la primera patent del transistor d'efecte camp el 1925. Mai no va ser capaç de construir un dispositiu semiconductor pràctic i funcional basat en el seu concepte. A més, com que no va publicar articles en revistes acadèmiques i com que no tenia materials semiconductors d'alta puresa disponibles, la seva patent FET mai no va assolir fama, fet que va causar confusió als inventors posteriors.

Biografia

Lilienfeld va néixer en una família jueva a Lemberg (actualment Lviv), a la part austríaca de l'Imperi Austrohongarès. El pare de Lilienfeld era l'advocat Sigmund Lilienfeld, la seva mare Sarah Jampoler Lilienfeld.[2]

Educació

Després de graduar-se a l'institut el 1899,[2] entre el 1900 i el 1904, Lilienfeld va estudiar a la Friedrich-Wilhelms-Universität (rebatejada com a Universitat Humboldt el 1949), a Berlín, on va obtenir el doctorat el 18 de febrer de 1905. El 1905, va començar a treballar a l'institut de física de la Universitat de Leipzig com a professor titular.

Carrera professional

Durant els primers anys de la seva carrera professional, Lilienfeld, a la Universitat de Leipzig, va dur a terme importants treballs sobre descàrregues elèctriques en " buit ", entre elèctrodes metàl·lics, des de 1910 aproximadament.[3] La seva primera passió va ser aclarir com canviava aquest fenomen a mesura que milloraven les tècniques de preparació al buit. Més que qualsevol altre científic, va ser el responsable de la identificació de l'emissió d'electrons de camp com un efecte físic separat. (Ho va anomenar "emissió autoelectrònica" i hi estava interessat com a possible font d'electrons per a tubs de raigs X miniaturitzats, en aplicacions mèdiques.) Lilienfeld va ser responsable del primer relat fiable en anglès de la fenomenologia experimental de l'emissió d'electrons de camp, el 1922. L'efecte va ser explicat per Fowler i Nordheim el 1928.

Lilienfeld es va traslladar als Estats Units el 1921 per perseguir les seves reclamacions de patents, i va renunciar a la seva càtedra a Leipzig per quedar-s'hi permanentment el 1926. El 1928, va començar a treballar a Amrad a Malden, Massachusetts, més tard anomenat Ergon Research Laboratories, propietat de Magnavox, que va tancar el 1935.

Als Estats Units, Lilienfeld va investigar sobre pel·lícules d'òxid d'alumini anòdiques, patentant el condensador electrolític el 1931, mètode que es va continuar utilitzant durant tot el segle. També va inventar un transistor "semblant a un FET ", presentant diverses patents que descrivien la construcció i el funcionament dels transistors, així com moltes característiques dels transistors moderns. (La patent nord-americana núm. 1.745.175[4] per a un transistor tipus FET es va concedir el 28 de gener de 1930.) Quan Brattain, Bardeen i el seu col·lega, el químic Robert Gibney, van intentar obtenir patents per als seus primers dispositius, la majoria de les seves reclamacions van ser rebutjades a causa de les patents de Lilienfeld.[5]

La radiació òptica emesa quan els electrons colpegen una superfície metàl·lica s'anomena " radiació de Lilienfeld " després que la descobrís a prop dels ànodes dels tubs de raigs X. El seu origen s'atribueix a l'excitació de plasmons a la superfície metàl·lica.[6][7][8]

L' American Physical Society ha nomenat Lilienfeld un dels seus principals premis.[9]

Vida personal

Lilienfeld era un jueu asquenazita de parla alemanya que era ciutadà d'Àustria-Hongria[10] i que més tard va tenir doble nacionalitat als Estats Units i a Polònia.[11] Es va casar amb una estatunidenca, Beatrice Ginsburg, a la ciutat de Nova York el 2 de maig de 1926. Van viure a Winchester, Massachusetts, on Lilienfeld era directora dels Ergon Research Laboratories a Malden, i es va convertir en ciutadana dels Estats Units el 1934. Després del seu tancament el 1935, ell i la seva dona van construir una casa a St. Thomas, a les Illes Verges Nord-americanes, amb l'esperança d'escapar d'una al·lèrgia associada als camps de blat, de la qual Lilienfeld havia patit durant la major part de la seva vida. Lilienfeld viatjava sovint entre St. Thomas i diverses ubicacions del continent i continuava provant noves idees i patentant els productes resultants.

Patents

  • US 1122011 "Procés i aparell per produir raigs Roentgen" presentada el 02-10-1912, que descriu un tub de raigs X que produïa raigs X a partir d'electrons emesos per un filament calent
  • US 1218423 "Tub de raigs Roentgen" presentada el 17-04-1914, que descriu un refinament del seu tub de raigs X anterior que produïa raigs X a partir d'electrons emesos per un filament calent
  • US 1745175 "Mètode i aparell per controlar el corrent elèctric" presentada per primera vegada al Canadà el 22-10-1925, que descriu un transistor d'efecte de camp
  • US 1900018 "Dispositiu per controlar el corrent elèctric" presentada el 28-03-1928, un transistor d'efecte de camp de pel·lícula fina
  • US 1877140 "Amplificador per a corrents elèctrics" presentada el 08-12-1928, dispositiu d'estat sòlid on el flux de corrent està controlat per un metall porós capa, una versió d'estat sòlid del tub de buit
  • US 2013564 "Condensador electrolític" presentat el 29-08-1931, que descriu un condensador electrolític

Referències

  1. ↑ Schmidhuber, Jürgen. «2025: Centennial of the Transistor». [Consulta: 15 abril 2026].
  2. 1 2 Kleint, Christian (en anglès) Progress in Surface Science, 57, 4, 01-04-1998, p. 253–327. Bibcode: 1998PrSS...57..253K. DOI: 10.1016/S0079-6816(98)80026-9. ISSN: 0079-6816.
  3. ↑ «A Very Early Conception of a Solid State Device». IEEE Global History Network. IEEE. [Consulta: 21 juliol 2011].
  4. ↑ Julius Edgar Lilienfeld a l'USPTO (anglès) Method and apparatus for controlling electric currents
  5. ↑ Joel N. Shurkin. Broken genius: the rise and fall of William Shockley, creator of the electronic age. Palgrave Macmillan, 8 January 2008, p. 116–. ISBN 978-0-230-55192-3.
  6. ↑ J.E. Lilienfeld (en german) Physikalische Zeitschrift, 20, 12, 1919, p. 280–282.
  7. ↑ Boersch, Hans; Radeloff, C.; Sauerbrey, G. (en german) Zeitschrift für Physik A, 165, 4, 1961, p. 464–484. Bibcode: 1961ZPhy..165..464B. DOI: 10.1007/BF01381902.
  8. ↑ Boersch, Hans; Radeloff, C.; Sauerbrey, G. Phys. Rev. Lett., 7, 2, 1961, p. 52–54. Bibcode: 1961PhRvL...7...52B. DOI: 10.1103/PhysRevLett.7.52.
  9. ↑ «Julius Edgar Lilienfeld Prize». American Physical Society. [Consulta: 27 juny 2022].
  10. ↑ «Espacenet - Original document».
  11. ↑ «Espacenet - Original document». Arxivat de l'original el 2021-03-08. [Consulta: 30 novembre 2019].

Bibliografia

  • Christian Kleint, Julius Edgar Lilienfeld: Vida i professió. A: Progress in Surface Science, volum 57, número 4, abril de 1998, pàgines 253–327.
  • Chih-Tang Sah, Evolució del transistor MOS — De la concepció a VLSI. A: Actes de l'IEEE, vol. 76, núm. 10, octubre de 1988, pàgines 1280-1326.

Enllaços externs

This article is issued from Viquipèdia. The text is available under Creative Commons Attribution-Share Alike 4.0 unless otherwise noted. Additional terms may apply for the media files.