MIL-STD-883
| Tipus | Norma del departament de defensa dels Estats Units  |
|---|---|
| Fitxa | |
| Autor | Departament de Defensa dels Estats Units |
| Llengua | Anglès |
| Publicació | EUA, 2010 |
| Dades i xifres | |
| Gènere | Qualitat |
La norma MIL-STD-883 estableix mètodes, controls i procediments uniformes per provar dispositius microelectrònics adequats per al seu ús en sistemes electrònics militars i aeroespacials, incloent-hi proves ambientals bàsiques per determinar la resistència als efectes nocius dels elements naturals i les condicions que envolten les operacions militars i espacials; proves mecàniques i elèctriques; procediments de mà d'obra i formació; i altres controls i restriccions que s'hagin considerat necessaris per garantir un nivell uniforme de qualitat i fiabilitat adequat a les aplicacions previstes d'aquests dispositius.[1] Per a aquesta norma, el terme "dispositius" inclou microcircuits monolítics, multixip, de pel·lícula i híbrids, matrius de microcircuits i els elements a partir dels quals es formen els circuits i les matrius. Aquesta norma està pensada per aplicar-se només a dispositius microelectrònics.[2]
L'estàndard va ser publicat pel Departament de Defensa dels EUA.[3]
Proves ambientals, mètodes 1001-1034
- 1001 Pressió baromètrica reduïda (funcionament en altitud)[4]
- 1002 Immersió
- 1003 Resistència d'aïllament
- 1004.7 Resistència a la humitat
- 1005.8 Vida en estat estacionari
- 1006 Vida intermitent
- 1007 D'acord amb la vida
- 1008.2 Cocció d'estabilització
- 1009.8 Atmosfera salina
- 1010.8 Cicle de temperatura
- 1011.9 Xoc tèrmic
- 1012.1 Característiques tèrmiques
- 1013 Punt de rosada
- 1014.13 Segell
- 1015.10 Prova de cremat
- 1016.2 Proves de caracterització de la vida útil/fiabilitat
- 1017.2 Irradiació de neutrons
- 1018.6 Anàlisi de gasos interns
- 1019.8 Procediment de prova de radiació ionitzant (dosi total)
- 1020.1 Procediment de prova de bloqueig induït per taxa de dosi
- 1021.3 Proves de pertorbació de taxa de dosi de microcircuits digitals
- 1022 Tensió llindar MOSFET
- 1023.3 Resposta a la taxa de dosi de microcircuits lineals
- 1030.2 Pre-segellat en cremat
- 1031 Prova de corrosió de pel·lícula fina
- 1032.1 Procediment de prova d'errors suaus induïts per paquets
- 1033 Prova de vida útil i resistència
- 1034.1 Prova de penetració de colorants
Proves mecàniques, mètodes 2001-2036
- 2001.2 Acceleració constant
- 2002.3 Xoc mecànic
- 2003.7 Soldabilitat
- 2004.5 Integritat del client potencial
- 2005.2 Fatiga per vibració
- 2006.1 Soroll de vibració
- 2007.2 Vibració, freqüència variable
- 2008.1 Visual i mecànic
- 2009.9 Visual extern
- 2010.10 Visual intern (monolític)
- 2011.7 Resistència d'enllaç (prova d'arrossegament d'enllaç)
- 2012.7 Radiografia
- 2013.1 Inspecció visual interna per a DPA
- 2014 Visual i mecànic intern
- 2015.14 Resistència als dissolvents
- Dimensions físiques del 2016
- 2017.7 Visual intern (híbrid)
- 2018.3 Inspecció de la metal·lització amb microscopi electrònic de rastreig (SEM)
- 2019.5 Resistència al cisallament de la matriu
- 2020.7 Prova de detecció de soroll d'impacte de partícules (PIND)
- 2021.3 Integritat de la capa de glassivació
- 2022.2 Soldabilitat de l'equilibri humit
- 2023.5 Estirament d'enllaç no destructiu
- 2024.2 Parell de torsió de la tapa per a envasos segellats amb frita de vidre
- 2025.4 Adherència de l'acabat de plom
- 2026 Vibració aleatòria
- 2027.2 Força d'adhesió del substrat
- 2028.4 Prova de tracció de plom destructiva del paquet de pins de la quadrícula
- 2029 Força d'unió del portador de xips de ceràmica
- 2030 Inspecció ultrasònica de la fixació de matrius
- 2031.1 Prova d'arrencada de xip giratori
- 2032.1 Inspecció visual d'elements passius
- 2035 Inspecció ultrasònica d'enllaços TAB
- 2036 Resistència a la calor de soldadura
Proves elèctriques (digitals), mètodes 3001-3024
- 3001.1 Font d'accionament, dinàmica
- 3002.1 Condicions de càrrega
- 3003.1 Mesures de retard
- 3004.1 Mesures de temps de transició
- 3005.1 Corrent d'alimentació
- 3006.1 Tensió de sortida d'alt nivell
- 3007.1 Tensió de sortida de baix nivell
- 3008.1 Tensió de ruptura, entrada o sortida
- 3009.1 Corrent d'entrada, nivell baix
- 3010.1 Corrent d'entrada, nivell alt
- 3011.1 Corrent de curtcircuit de sortida
- 3012.1 Capacitància terminal
- 3013.1 Mesures del marge de soroll per a dispositius microelectrònics digitals
- 3014 Proves funcionals
- 3015.8 Classificació de la sensibilitat a les descàrregues electroestàtiques
- 3016 Verificació del temps d'activació
- 3017 Paquet de microelectrònica, transmissió de senyals digitals
- 3018 Mesures de diafonia per a encapsulats de dispositius microelectrònics digitals
- 3019.1 Mesures d'impedància de terra i d'alimentació per a paquets de dispositius de microelectrònica digital
- 3020 Corrent de fuita de sortida de baix nivell i alta impedància (estat desactivat)
- 3021 Corrent de fuita de sortida d'alta impedància (estat desactivat) d'alt nivell
- 3022 Tensió de pinça d'entrada
- 3023.1 Mesures de latch-up estàtic per a dispositius microelectrònics CMOS digitals
- 3024 Mesures simultànies de soroll de commutació per a dispositius microelectrònics digitals
Referències
- ↑ «Military Specification» (en anglès). Arxivat de l'original el 2025-06-16. [Consulta: 14 novembre 2025].
- ↑ «Mil-Std-883F, Department of Defense Test Method Standard: Microcircuits, Test Standards (18 Jun 2004) [S/S By Mil-Std-883G]» (en anglès). EverySpec LLC, 18-06-2004. Arxivat de l'original el 2021-10-11. [Consulta: 27 novembre 2022].
- ↑ «[https://www.dau.edu/sites/default/files/Migrated/CopDocuments/MIL-STD-883H.pdf DEPARTMENT OF DEFENSE TEST METHOD STANDARD MICROCIRCUITS]» (en anglès). [Consulta: 14 novembre 2025].
- ↑ «[https://www.navsea.navy.mil/Portals/103/Documents/NSWC_Crane/SD-18/Test%20Methods/MILSTD883.pdf '(3$570(172)'()(16( 7(670(7+2'67$1'$5' 0,&52&,5&8,76]» (en anglès). [Consulta: 14 novembre 2025].