Isobutilgermano

Isobutilgermano
General
Fórmula molecular C4H12Ge
Identificadores
Número CAS 768403-89-0[1]
ChemSpider 21389305
PubChem 102393253
UNII RB23LE749Q
InChI=InChI=1S/C4H12Ge/c1-4(2)3-5/h4H,3H2,1-2,5H3
Key: PILXXBFWCYMNMX-UHFFFAOYSA-N
Propiedades físicas
Masa molar 134,015078 g/mol

El isobutilgermano (IBGe, fórmula química: (CH3)2CHCH2GeH3, es un compuesto de organogermanio. Es un líquido incoloro y volátil que se utiliza en MOVPE (Metalorganic Vapor Phase Epitaxy) como alternativa al germano. El IBGe se utiliza en la deposición de películas de Ge y películas finas semiconductoras que contienen Ge, como el SiGe en aplicaciones de silicio tenso, y el GeSbTe en aplicaciones NAND Flash.

Propiedades

El IBGe es una fuente líquida no pirofórica para la deposición química en fase vapor (CVD) y la deposición de capas atómicas (ALD) de semiconductores. Posee una presión de vapor muy alta y es considerablemente menos peligroso que el gas germano. El IBGe también ofrece una temperatura de descomposición más baja (el inicio de la descomposición se produce a unos 325-350 °C),[2] junto con las ventajas de una baja incorporación de carbono y una reducción de las impurezas elementales del grupo principal en el germanio cultivado epitaxialmente que comprende capas como Ge, SiGe, SiGeC, silicio tenso, GeSb y GeSbTe.

Usos

Rohm and Haas (ahora parte de The Dow Chemical Company), el IMEM y el CNRS han desarrollado un proceso para hacer crecer películas de germanio sobre germanio a bajas temperaturas en un reactor de epitaxia en fase vapor metalorgánica (MOVPE) utilizando isobutilgermano. El objetivo de la investigación son los heterodispositivos Ge/III-V.[3][4] Se ha demostrado que se puede conseguir el crecimiento de películas de germanio de alta calidad a temperaturas tan bajas como 350 °C.[5][6] La baja temperatura de crecimiento de 350 °C que se consigue con este nuevo precursor ha eliminado el efecto memoria del germanio en los materiales III-V. Recientemente, el IBGe se utiliza para depositar películas epitaxiales de Ge sobre un sustrato de Si o Ge, seguido de la deposición MOVPE de capas de InGaP e InGaAs sin efecto memoria, para permitir células solares de triple unión y la integración de compuestos III-V con Silicio y Germanio. Se demostró que el isobutilgermano también podía utilizarse para el crecimiento de nanocables de germanio utilizando oro como catalizador.[7]

Referencias

  1. ↑ Número CAS
  2. ↑ Safer alternative liquid germanium precursors for relaxed graded SiGe layers and strained silicon by MOVPE; D.V. Shenai et al., Presentation at ICMOVPE-XIII, Miyazaki, Japan, June 1, 2006, and publication in Journal of Crystal Growth (2007)
  3. ↑ Woelk, Egbert; Shenai-Khatkhate, Deodatta V.; Dicarlo, Ronald L.; Amamchyan, Artashes; Power, Michael B.; Lamare, Bruno; Beaudoin, Grégoire; Sagnes, Isabelle (2006). «Designing novel organogermanium OMVPE precursors for high-purity germanium films». Journal of Crystal Growth 287 (2): 684-687. Bibcode:2006JCrGr.287..684W. doi:10.1016/j.jcrysgro.2005.10.094.
  4. ↑ Shenai-Khatkhate et al., Rohm and Haas Electronic Materials; Presentation at ACCGE-16, Montana, USA, July 11, 2005, and publication in Journal of Crystal Growth (2006)
  5. ↑ MOVPE growth of homoepitaxial germanium, M. Bosi et al. publication in Journal of Crystal Growth (2008)
  6. ↑ Homo and Hetero Epitaxy of Germanium Using Isobutylgermane, G. Attolini et al. publication in Thin Solid Films (2008)
  7. ↑ Growth of germanium nanowires with isobuthyl germane, M. Bosi et al. publication in Nanotechnology (2019)

Otras lecturas

Enlaces externos

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